深圳市砹芯半导体有限公司专注于存储器件，聚焦 NOR Flash 与 EEPROM 两大产品线，覆盖从主流量大市场到高端高可靠市场的需求。产品采用华虹、武汉新芯、ST 等一线晶圆，经 CP、封装、FT 全流程测试筛选，以 AIX 品牌与独立料号交付。
采用一线晶圆，经封装与 CP、FT 全流程测试筛选，以 AIX 品牌与独立料号交付——每一步可控、可追溯。
采用华虹 / 武汉新芯 / ST 等原厂晶圆，品质起点高、来源可靠。
成熟封测供应链完成 CP → 封装 → FT，测试标准对齐成品级。
AX25 / AXST95P 系列型号与命名规则统一，料号清晰、便于长期沉淀。
以 AIX 品牌与独立料号稳定供货，配合客户量产节奏。
两条自主品牌产品线，面向不同层次的存储需求——NOR Flash 打主流量大市场，EEPROM 打高端高可靠市场。
按容量、频率、封装快速选型。绿色为已量产型号，灰色为规划中型号（大容量 NOR 预计 Q4 量产）。
| 型号 | 类型 | 容量 | 电压 | 最高频率 | SPI 通道 | 温度范围 | 擦写寿命 / 保持 | 状态 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AX25WQ20A | NOR | 2 Mb (256KB) | 1.65–3.6V | 104 MHz | 单 / 双 / 四 | -40~105°C | 10 万次 / 20 年 | 已量产 |
| AX25WQ40A | NOR | 4 Mb (512KB) | 1.65–3.6V | 133 MHz | 单 / 双 / 四 | -40~125°C 车规 | 10 万次 / 20 年 | 已量产 |
| AX25WQ80A | NOR | 8 Mb (1MB) | 1.65–3.6V | 133 MHz | 单 / 双 / 四 | -40~105°C | 10 万次 / 20 年 | 已量产 |
| AX25WD80C | NOR | 8 Mb (1MB) | 1.65–3.6V | 104 MHz | 单 / 双 | -40~105°C | 10 万次 / 20 年 | 已量产 |
| AX25WQ16B | NOR | 16 Mb (2MB) | 1.65–3.6V | 133 MHz | 单 / 双 / 四 | -40~105°C | 10 万次 / 20 年 | 已量产 |
| AX25 · 32Mb | NOR | 32 Mb (4MB) | — | — | — | — | — | 规划中 · Q4 |
| AX25 · 64Mb | NOR | 64 Mb (8MB) | — | — | — | — | — | 规划中 · Q4 |
| AX25 · 128Mb | NOR | 128 Mb (16MB) | — | — | — | — | — | 规划中 · Q4 |
| AXST95P08 | EEPROM | 8 Mb (1MB) | 1.6–3.6V | 80 MHz | 单 / 双 / 四 | -40~105°C | 50 万次 / 100 年 | 已量产 |
| AXST95P16 | EEPROM | 16 Mb (2MB) | 1.6–3.6V | 80 MHz | 单 / 双 / 四 | -40~105°C | 50 万次 / 100 年 | 已量产 |
| AXST95P32 | EEPROM | 32 Mb (4MB) | 1.6–3.6V | 80 MHz | 单 / 双 / 四 | -40~105°C | 50 万次 / 100 年 | 已量产 |
封装选项：SOP8-208mil / SOP8-150mil / TSSOP8-173mil / DFN8 / DFN6 / TFBGA24（具体型号封装以规格书为准）。EEPROM 内置 ECC（DEC/TED）纠错。所有参数为典型值，最终以官方规格书为准。
以典型型号为例，直观看到两条产品线的差异化定位（数据为典型值）。
| 核心参数 | EEPROM AXST95P08 | NOR AX25WD80C | 差异化亮点 |
|---|---|---|---|
| 容量 | 8 Mbit (1MB) | 8 Mbit (1MB) | 同容量对标 |
| 扇区擦除 (4KB) | 1.3 ms | 125 ms | EEPROM 快 ~95 倍 |
| 整片擦除 | 4 ms | 4 s | EEPROM 快 ~1000 倍 |
| 擦写寿命 | 500,000 次 | 100,000 次 | EEPROM 是 5 倍 |
| 数据保持 | 100 年 | 20 年 | EEPROM 更长效 |
| 深度掉电电流 | 0.6 µA | 1 µA | EEPROM 更省电 |
| 字节 / 页写入 | 自动读-改-写 | 需先擦后写 | EEPROM 更灵活 |
| ECC 纠错 | 支持 (DEC/TED) | 不支持 | EEPROM 高可靠 |
注：NOR Flash 在读取带宽（最高 133MHz）、大容量与 Suspend/Resume 上仍具主流优势；两线互补，按场景选型。
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